[19p-C302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-C302-3] 表面ポテンシャル揺らぎがGaN MOSFETのキャリア移動度に与える影響

〇田岡 紀之¹、山田 寿一¹、清水 三聡¹ (1.産総研 GaN-OIL)

キーワード：GaN、MOSFET、MOS界面