[19p-D103-1~17] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[19p-D103-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Structural analysis of basal-plane dislocations to be origins of stacking fault expansion in forward degradation of 4H-SiC PiN diodes

〇Shohei Hayashi^1,2, Tamotsu Yamashita^1,3, Junji Senzaki¹, Masaki Miyazato^1,4, Masaaki Miyajima^1,4, Tomohisa Kato¹, Yoshiyuki Yonezawa¹, Kazutoshi Kojima¹, Hajime Okumura¹ (1.AIST, 2.Toray Research Center Inc., 3.SHOWA DENKO K.K., 4.Fuji Electric Co. Ltd.)

Keywords:SiC, basal-plane dislocation, stacking fault

4H-SiCバイポーラデバイスの順方向通電劣化について、シングルショックレー型積層欠陥(1SSF)の拡大起源となる基底面転位(BPD)の構造を詳細に解析した。直流電流密度600Acm^-2の条件下においては、1SSFが拡大したBPDの多くはらせん型であり、30°Siコアの部分転位が移動していることが明らかになった。また、1SSF拡大しなかったBPDは、貫通刃状転位転換位置がエピ/基板界面から基板側深い位置に形成されていることが分かった。