[19p-D103-1~17] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[19p-D103-2] Analysis of stacking fault expansion in forward current degradation of 4H-SiC PiN diodes with transparent conductive oxide electrode

〇Hirokuni Asamizu^1,2, Junichi Nishino¹, Junji Senzaki¹, Kazutoshi Kojima¹, Tomohisa Kato¹, Hajime Okumura¹ (1.AIST, 2.Rohm Co.,Ltd.)

Keywords:SiC

4H-SiC PiN diodeにおける順方向劣化特性の評価を簡便化することを狙い、透明導電性酸化物膜をアノード電極に用いたPiNダイオード構造を作製し評価した。金属アノード電極の場合と同様の積層欠陥拡張が、電極を剥離せずに観察・評価可能であることが示された。