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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）

[19p-D103-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2018年3月19日(月) 13:30 〜 18:00 D103 (56-103)

一色俊之(京都工繊大)、西尾譲司(東芝)

17:00 〜 17:15

[19p-D103-14] 4H-SiC非極性面の表面再結合速度の解析

〇章心馳¹、小濱公洋¹、市村正也¹、加藤正史¹ (1.名工大)

キーワード：半導体、SiC、表面再結合速度