[19p-D103-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[19p-D103-2] 透明導電性酸化物電極を用いた4H-SiC PiN diodeにおける順方向通電劣化の評価

〇浅水 啓州^1,2、西野 潤一¹、先崎 純寿¹、児島 一聡¹、加藤 智久¹、奥村 元¹ (1.産総研、2.ローム㈱)

キーワード：SiC

4H-SiC PiN diodeにおける順方向劣化特性の評価を簡便化することを狙い、透明導電性酸化物膜をアノード電極に用いたPiNダイオード構造を作製し評価した。金属アノード電極の場合と同様の積層欠陥拡張が、電極を剥離せずに観察・評価可能であることが示された。