[19p-D103-1~17] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[19p-D103-9] Analysis of Anisotropic Ionization Coefficient in Bulk 4H-SiC with Full-Band Monte Carlo Simulation

〇Ryusei Fujita¹, Yoshiki Ueoka¹, Takao Kotani², Yoshinari Kamakura¹, Nobuya Mori¹ (1.Osaka Univ., 2.Tottori Univ.)

Keywords:silicon carbide, Full-Band Monte Carlo simulation, anisotropy

4H-SiCはパワーデバイスへの応用が期待されているが，絶縁破壊電圧を決定する衝突電離の特性は不明な点も多く，シミュレーション解析用の高精度なモデルの構築が求められている．本研究では，第一原理計算から求めたバンド構造および衝突電離率を取り入れたフルバンドモンテカルロシミュレータにより，バルク4H-SiC中の電子と正孔の衝突電離係数の電界強度および電界方向依存性を解析し，その結果を用いてダイオード降伏電圧を計算した．