[19p-D103-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[19p-D103-9] フルバンドモンテカルロ法を用いたバルク4H-SiCの衝突電離係数の異方性解析

〇藤田 流星¹、上岡 良季¹、小谷 岳生²、鎌倉 良成¹、森 伸也¹ (1.大阪大工、2.鳥取大工)

キーワード：シリコンカーバイド、フルバンドモンテカルロシミュレーション、異方性

4H-SiCはパワーデバイスへの応用が期待されているが，絶縁破壊電圧を決定する衝突電離の特性は不明な点も多く，シミュレーション解析用の高精度なモデルの構築が求められている．本研究では，第一原理計算から求めたバンド構造および衝突電離率を取り入れたフルバンドモンテカルロシミュレータにより，バルク4H-SiC中の電子と正孔の衝突電離係数の電界強度および電界方向依存性を解析し，その結果を用いてダイオード降伏電圧を計算した．