[19p-E202-1~8] 窒化物半導体特異構造の科学　～格子欠陥はどこまで制御できるのか：先端評価と機能探索～

[19p-E202-4] 陽電子消滅による窒化物半導体中0次元特異構造（点欠陥）のキャリア捕獲の評価

〇上殿 明良¹、石橋 章司²、角谷 正友³ (1.筑波大数物、2.産総研、3.物材研)

キーワード：窒化物半導体、空孔形欠陥、陽電子消滅

陽電子消滅は，結晶の空孔型欠陥を感度良く検出できる非破壊検査法である．本手法を用いて，Si基板上に成膜したGaN中の空孔型欠陥を評価した．試料に陽電子ビームと単色光を同時に照射しながら，陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定を行い，空孔形欠陥を検出した．講演では，光照射により励起された電子が，正に荷電した空孔により捕獲される過程を評価した結果を報告する．