2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[19p-F202-1~16] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2018年3月19日(月) 13:45 〜 18:15 F202 (61-202)

末益 崇(筑波大)、山口 憲司(量研機構)、原 康祐(山梨大)

16:30 〜 16:45

[19p-F202-11] ヘリコン波プラズマスパッタ法によるSi基板上多結晶BaSi2膜の作製

松野 賢司1、髙部 涼太1、召田 雅実2、倉持 豪人2、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大院、2.東ソー株式会社)

キーワード:半導体、スパッタリング