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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[19p-F202-1~16] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2018年3月19日(月) 13:45 〜 18:15 F202 (61-202)

末益崇(筑波大)、山口憲司(量研機構)、原康祐(山梨大)

16:30 〜 16:45

[19p-F202-11] ヘリコン波プラズマスパッタ法によるSi基板上多結晶BaSi₂膜の作製

〇松野賢司¹、髙部涼太¹、召田雅実²、倉持豪人²、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大院、2.東ソー株式会社)

キーワード：半導体、スパッタリング