[19p-F202-1~16] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[19p-F202-6] Analysis of vapor composition and film formation process in BaSi₂ evaporation

〇Kosuke Hara¹, Keisuke Arimoto¹, Junji Yamanaka¹, Kiyokazu Nakagawa¹ (1.Univ. of Yamanashi)

Keywords:semiconducting silicide, thin film, thermal evaporation

真空蒸着法によるBaSi₂半導体の成膜における蒸気組成とBaSi₂形成過程を調査するため、異なる基板温度で作製した蒸着膜の深さ方向組成分布を比較した。室温で作製した蒸着膜の組成分布より、蒸気組成がBa過剰からSi過剰へ連続的に変化することが明らかとなった。また、650 ˚Cで作製した蒸着膜の組成分布との比較により、BaとSiの相互拡散によりBaSi₂が形成することを示す。さらに、表面酸化膜形成についても議論する。