[19p-F202-1~16] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[19p-F202-6] BaSi₂蒸着における蒸気組成と成膜過程解析

〇原 康祐¹、有元 圭介¹、山中 淳二¹、中川 清和¹ (1.山梨大)

キーワード：シリサイド半導体、薄膜、真空蒸着

真空蒸着法によるBaSi₂半導体の成膜における蒸気組成とBaSi₂形成過程を調査するため、異なる基板温度で作製した蒸着膜の深さ方向組成分布を比較した。室温で作製した蒸着膜の組成分布より、蒸気組成がBa過剰からSi過剰へ連続的に変化することが明らかとなった。また、650 ˚Cで作製した蒸着膜の組成分布との比較により、BaとSiの相互拡散によりBaSi₂が形成することを示す。さらに、表面酸化膜形成についても議論する。