2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[19p-F206-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

2018年3月19日(月) 16:15 〜 19:00 F206 (61-206)

大越 康晴(電機大)、大花 継頼(産総研)

17:30 〜 17:45

[19p-F206-5] 成膜時のプラズマ周波数制御による光学ギャップ可変シリコン添加アモルファスカーボン太陽電池の化学結合状態の最適化および出力特性の向上

清水 優太1、脇 優太1、斎藤 佑1、楢木野 宏1、本多 謙介1 (1.山口大学)

キーワード:太陽電池、炭素材料

本研究では多接合型太陽電池への応用に向けてプラズマ化学気相成長法により作製可能なn型Si添加アモルファスカーボン(a-C)薄膜/p-Siヘテロ接合太陽電池の開発を行った。Si添加a-C薄膜中のsp2クラスターは変換効率の低下の要因となる。本研究では、成膜時のプラズマ周波数を上昇させsp2クラスターを低減することでSi添加a-C/p-Siヘテロ接合太陽電池の変換効率の向上を図った。