2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.12 ナノ領域光科学・近接場光学

[19p-F310-1~15] 3.12 ナノ領域光科学・近接場光学

2018年3月19日(月) 13:30 〜 17:30 F310 (61-310)

伊藤 民武(産総研)、岡本 敏弘(徳島大)

17:00 〜 17:15

[19p-F310-14] 高出力ホモ接合シリコンレーザー

川添 忠1、橋本 和信2、杉浦 聡2 (1.東電大、2.NPEO)

キーワード:ナノフォトニクス、レーザー、シリコン

DPPアニールされたSiのpn接合部はレーザーの活性層としても機能する。このDPPアニールの効果を大きくするためにこれまで用いていたドーパント種を変更し、原子の質量数のSiとの違いがより大きな新しいドーパントを用いてSiレーザーを作製した。さらに大出力化のため素子長30mmのSiレーザーについて動作報告を行う予定である。