16:00 〜 18:00
[19p-P10-2] 格子定数整合GeSiSn/Ge系p-RTDの試作
キーワード:GeSiSn、RTD
GeSiSnは新しいⅣ族半導体の材料として注目されている。GeSiSnはそれぞれの組成比を制御することにより、格子定数とバンドギャップを独立に設計することが可能であり、格子定数整合系ヘテロ接合による低欠陥な量子積層デバイスへの応用が期待される。本研究では、正孔トンネル型の格子定数整合GeSiSn/Ge系p-RTDの試作および特性取得を行ったので報告する。
一般セッション(ポスター講演)
15 結晶工学 » 15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶
2018年3月19日(月) 16:00 〜 18:00 P10 (ベルサール高田馬場)
16:00 〜 18:00
キーワード:GeSiSn、RTD