[19p-P11-1~31] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [19p-P11-14] Effect of film thickness and buffer layer on solid phase epitaxy of Ga₂O₃ by laser annealing

〇(B)Hiroyuki Morita¹, Kisho Nakamura¹, Nobuo Tsuchimine², Satoru Kaneko^3,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech. Materials, 2.TOSHIMA Manu., 3.KISTEC)

Keywords:wide gap, semiconductor, epitaxy

ELAプロセスを用いたβ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の低温合成において、膜厚や緩衝層—薄膜界面など前駆体状態は、レーザー吸収や核形成といった固相結晶化過程に重要である。本研究では、ELAプロセスによるβ-Ga₂O₃の低温・室温固相エピタキシーと前駆体薄膜との相関を明らかにすることを目的として、膜厚や緩衝層がβ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の結晶性・配向性など構造や電子・光学特性などにおよぼす影響について検討した。