[19p-P11-1~31] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[19p-P11-18] Incorporation of Nitrogen into β-Ga₂O₃ During RF-MBE Growth

〇Yoshiaki Nakata¹, Takafumi Kamimura¹, Akito Kuramata², Shigenobu Yamakoshi², Masataka Higashiwaki¹ (1.NICT, 2.Tamura Corp.)

Keywords:Ga2O3

RFプラズマを用いたMBE (RF-MBE)により成長したb-Ga₂O₃結晶中のN濃度と成長条件との関係について調べた。Nの取り込みが成長時のO/Ga供給比に強く依存することを示唆する結果が得られた。