[19p-P11-1~31] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[19p-P11-2] Improvement of Electrical Performance for Ga-doped ZnO Films by Zn Addition

〇Yumika Yamada¹, Rei Sugiura¹, Yuki Asano¹, Takumi Yamamoto¹, Shuhei Funaki¹, Yasuji Yamada¹ (1.Shimane Univ.)

Keywords:zinc oxide, sputtering

粉末ターゲットを用いたパウダースパッタ法により、通常のGZO膜とZn-richなGZO膜を作製し、ターゲットに添加するmetal Znの有無による特性変化、及び、電気特性のスパッタ圧力依存性、アニール温度依存性について評価した。作製したZn添加GZO膜はGZO膜に比べキャリア密度が高く、それに伴い抵抗率も低くなった。また、これらの膜にアニールを施しても電気特性に大きな変化は見られなかった。