[19p-P11-1~31] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-P11-2] Zn添加によるGaドープZnO膜の電気特性向上

〇山田 祐美加¹、杉浦 怜¹、淺野 祐稀¹、山本 拓実¹、舩木 修平¹、山田 容士¹ (1.島根大総理工)

キーワード：酸化亜鉛、スパッタリング

粉末ターゲットを用いたパウダースパッタ法により、通常のGZO膜とZn-richなGZO膜を作製し、ターゲットに添加するmetal Znの有無による特性変化、及び、電気特性のスパッタ圧力依存性、アニール温度依存性について評価した。作製したZn添加GZO膜はGZO膜に比べキャリア密度が高く、それに伴い抵抗率も低くなった。また、これらの膜にアニールを施しても電気特性に大きな変化は見られなかった。