[19p-P11-1~31] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [19p-P11-21] アモルファスInGaZnO薄膜の熱電特性に対するポテンシャル障壁の影響

〇瀬名波 大貴¹、上沼 睦典¹、Jenichi Felizco¹、梅田 鉄馬¹、石河 泰明¹、浦岡 行治¹、足立 秀明¹ (1.奈良先端大)

キーワード：熱電、酸化物半導体、成膜条件

本研究室ではアモルファスInGaZnOを熱電材料に応用し、研究を行っている。スパッタリングで成膜する際の酸素流量比、RF電力、ターゲット-基板距離、成膜圧力と成膜後のアニール温度を変化させると、ゼーベック係数や伝導機構に変化が見られた。これはキャリア密度の変化だけでは説明できず、アモルファス構造に由来する伝導帯中のポテンシャル障壁が作製条件により異なるためだと考えられる。本発表ではその影響について考察を行う。