[19p-P11-1~31] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-P11-22] InGaZnO/AgO_X酸化物ヘテロ界面によるショットキー特性評価

〇(D)曲 勇作¹、橋本 慎輔¹、濵田 賢一朗¹、古田 守^1,2 (1.高知工大、2.総研)

キーワード：酸化物半導体、InGaZnO、ショットキーダイオード

我々はこれまでスパッタ法で成膜した酸化銀(AgOX)とミスト化学気相成長法で350℃にて成膜したIGZOのショットキー接合を利用した金属半導体型電界効果トランジスタ(MES-FET)において良好なデバイス特性を実証している。本研究ではIGZO成膜手法を室温スパッタ法にすることで、低温プロセスでの高性能MES-FETの作製を目指している。今回はIGZO/AgOXヘテロ接合におけるAgOX成膜時の酸素分圧がショットキー特性に与える影響について報告する。