[19p-P11-1~31] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[19p-P11-24] Room Temperature Fabrication of Resistive Switching Memory Using Ga-Sn-O Thin Film

〇Sumio Sugisaki¹, Ryo Tanaka¹, Ayata Kurasaki¹, Tokiyoshi Matsuda¹, Mutsumi Kimura¹ (1.Ryukoku Univ,)

Keywords:amorphous oxide semiconductor, ReRAM, Ga-Sn-O

我々はアモルファス酸化物半導体としてレアメタルを含ず、トランジスタ動作が確認されているGa-Sn-O(GTO)に着目した。
GTOでメモリを作製することによりトランジスタとメモリを搭載したフレキシブルデバイスの作製が可能となる。
本研究ではAl/GTO/Alセル構造のクロスポイント型、抵抗変化型メモリを作製し400回の繰り返し特性を得ることができた。