[19p-P11-1~31] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[19p-P11-3] Improvement Characteristic of ZnO Films by Flash Lamp Anneal

〇Rei Sugiura¹, Yasuji Yamada¹, Arisa Sakaguchi¹, Yuki Asano¹, Yasuhisa Fujita¹, Shuhei Funaki¹ (1.Shimane univ.)

Keywords:zinc oxide, anneal, n-type semiconductor

酸化亜鉛系薄膜の特性向上を目的とするポストアニールでは、ゴールドファーネス等の電気炉を利用した熱処理方法が利用されてきた。本研究では、ポストアニールをキセノンランプを用いて酸化亜鉛系薄膜に施し、特性向上を試みる。フラッシュランプアニールは、一気圧大気下、マイクロセカンドオーダーの処理時間で酸化亜鉛系薄膜の電気抵抗率の低下が可能であった。