[19p-P11-1~31] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-P11-3] フラッシュランプアニールによる酸化亜鉛系薄膜の特性向上

〇杉浦 怜¹、山田 容士¹、坂口 アリサ¹、淺野 祐稀¹、藤田 恭久¹、舩木 修平¹ (1.島根大総理工)

キーワード：酸化亜鉛、アニール、n型半導体

酸化亜鉛系薄膜の特性向上を目的とするポストアニールでは、ゴールドファーネス等の電気炉を利用した熱処理方法が利用されてきた。本研究では、ポストアニールをキセノンランプを用いて酸化亜鉛系薄膜に施し、特性向上を試みる。フラッシュランプアニールは、一気圧大気下、マイクロセカンドオーダーの処理時間で酸化亜鉛系薄膜の電気抵抗率の低下が可能であった。