[19p-P11-1~31] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-P11-5] MOD法によるZnO薄膜の作製と乾燥温度による影響

〇神元 将太¹、香西 貴典¹、鎌田 隼²、徐 微微¹、藤原 健志¹、小西 智也¹、鄭 涛¹、上原 信知³、大向 雅人⁴、釜野 勝¹ (1.阿南高専、2.徳島大学、3.高専機構、4.明石高専)

キーワード：MOD法、ZnO、薄膜