[19p-P4-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

[19p-P4-10] 太陽電池に向けた熱拡散法によるシリコンおよび炭素原子をベース としたp型半導体薄膜の開発

〇楢木野 宏¹、清水 優太¹、脇 優太¹、斎藤 佑²、本多 謙介¹ (1.山口大院創成科学、2.山口大理)

キーワード：アモルファスシリコンカーバイド薄膜、太陽電池、熱拡散法

本研究では，太陽電池への応用に向けて熱拡散法によりp型ホウ素ドープアモルファスシリコンカーバイド(a-Si_xC_1-x, x < 0.5)薄膜の作製を行った．undoped a-Si_xC_1-x薄膜に，ホウ酸トリメチル(B(OCH₃)₃)をスピンコート，アニール処理することによって，薄膜中へのホウ素原子の導入とキャリア密度の増加が確認された．B-doped a-Si_xC_1-x薄膜およびn型Si基板から成るヘテロ接合太陽電池は，AM 1.5の光照射下において変換効率0.761 %を示した．