2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[19p-P4-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

2018年3月19日(月) 13:30 〜 15:30 P4 (ベルサール高田馬場)

13:30 〜 15:30

[19p-P4-12] モザイク基板上ダイヤモンドショットキーバリアダイオードの特性解析

大曲 新矢1、山田 英明1、梅沢 仁1、坪内 信輝1、茶谷原 昭義1、関 章憲2、川井 文彰2、斎藤 広明2、杢野 由明1 (1.産総研先進パワエレ、2.トヨタ自動車)

キーワード:ダイヤモンド、ショットキーダイオード、ウェハ

モザイク基板は,複数枚のダイヤモンド種結晶を平板状に配列しCVD 成長で接合した大口径ウェハである.種基板のオフ方向制御,合成中の基板温度一様性向上等により,接合領域に空隙を含まない40x60 mm2 の高品質ウェハが実現している.本研究では,モザイク基板上に擬似縦型ショットキーバリアダイオード (SBD) を作製し,各種デバイス特性を評価した.接合境界部では結晶の不連続性に起因する多数の欠陥を伴うため,デバイス特性劣化が予想されるが,今回試作した素子では境界内/外に関わらず良好な特性 (整流比8桁,最大耐圧4MV/cm) を示した.大口径ウェハとしての有用性を示しており,パワーデバイス用基板として今後の利用が期待される.