[19p-P5-1~39] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-P5-19] Si微細加工によるPt-Pd/(Y₂O₃添加ZrO₂単結晶薄膜)/Pt-Pd構造の作製とその抵抗スイッチング特性

〇二ツ森 皓史¹、塩田 忠¹、西岡 國生²、松谷 晃宏²、多田 大³、西山 昭雄¹、篠崎 和夫¹ (1.東工大物理工、2.東工大マイクロ、3.東工大分析)

キーワード：抵抗変化型メモリ、量子化伝導、Si微細加工