[19p-P5-1~39] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-P5-21] 自立型FTOナノファイバ膜の低抵抗化

〇一木 晃雅¹、Muhammad Zobayer BinMukhlish¹、野見山 輝明¹、堀江 雄二¹ (1.鹿大院理工)

キーワード：ナノファイバ、FTO、フレキシブル

スズドープ酸化インジウム(ITO)透明導電ナノファイバは、その耐熱性が低いことや原材料費の高さが様々な応用への問題点となる。そこで、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)をナノファイバ化しITOナノファイバと置き換え、比較的安価で耐熱性が十分にある透明導電ナノファイバの実現を目指した。ナノファイバ膜の低抵抗化のため、成膜時の基板温度や原料液の組成変化により抵抗率を100分の1未満にすることができた。