[19p-P5-1~39] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-P5-5] TiN(111) 配向基板の導入による相転移VO₂薄膜の配向成長と粒界拡散効果

〇青戸 智寛¹、沖村 邦雄¹ (1.東海大院工)

キーワード：二酸化バナジウム、窒化チタン

二酸化バナジウム (VO₂) は, 68℃付近において絶縁体-金属相転移 (Insulator-Metal Transition: IMT) を起こす. また, この相転移が電圧印加によるジュール熱による蓄積によっても発現する. 我々は, 今までに低電圧スイッチングを可能とする導電性TiN層上へのVO₂薄膜の多結晶成長について報告した. 本研究では, TiN(111) 配向基板を導入することでVO₂のb軸配向成長に成功した一方で, 成膜時の基板加熱によるTi原子の粒界拡散が促進された.