[19p-P6-1~17] 6.4 Thin films and New materials

[19p-P6-14] Photoelectrochemical properties of SrNbO₂N thin film with La-doped SrSnO₃ buffer layer

〇Hisanori Mashiko¹, Ryosuke Kikuchi¹, Yasushi Kaneko¹, Kazuhito Hato¹ (1.Panasonic Corp.)

Keywords:Oxynitride, Photocatalyst

太陽光エネルギーによる水の全分解実現を目標に，可視光応答可能な光触媒の開発が盛んに行われている．我々は光触媒活性が報告されているSrNbO₂Nに着目し，今回，SrNbO₂N薄膜の高品質化による光触媒活性の向上を目的として，LaドープSrSnO₃薄膜をバッファー層としたSrNbO₂N薄膜を作製し，その光電気化学特性を評価したので報告する．