[19p-P6-1~17] 6.4 薄膜新材料

[19p-P6-7] 一軸加圧下熱処理によるBi₂VO_5+δ薄膜の配向性固相結晶化と特性評価

〇(M1)伊藤 翔陽¹、難波 諒太郎¹、三村 和仙¹、金子 智^2,1、舟窪 浩¹、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産総研)

キーワード：Bi-V-O系薄膜、一軸加圧下熱処理、固相結晶化

我々これまでに，非晶質の酸化バナジウム薄膜を面直に一軸加圧下熱処理し，印加圧力の制御によりVO₂(V⁴⁺)やV₂O₃(V³⁺)の相選択的固相エピタキシーを報告している。同様のプロセスによりBi-V-O系薄膜においても結晶相制御が期待できる。本研究では，Bi₂VO₅(V⁴⁺)エピタキシャル薄膜の作製とその物性を明らかにすることを目的として，Bi-V-O系薄膜の一軸加圧下熱処理が結晶相と配向性および誘電特性等へ及ぼす影響を検討した。