[19p-P9-1~20] 13.8 光物性・発光デバイス

[19p-P9-2] CaF₂ / Si量子カスケード構造からの室温電流注入発光

〇齋藤 侑祐¹、近藤 弘規¹、渡辺 正裕¹ (1.東工大工学院)

キーワード：量子カスケードレーザ、フッ化カルシウム

Si量子井戸におけるサブバンド間遷移を誘導放出，光増幅の基本原理とする量子カスケードレーザは，Si集積回路技術と親和性の高い固体光源としての可能性を有する． CaF₂はSiとエピタキシャル成長が可能で，Siとの伝導帯バンド不連続が大きいため，近赤外波長帯までカバーする量子井戸活性層の設計が可能である．今回，理論解析及び素子の作製を行い，パルス電流注入による室温ELスペクトルを観測したので報告する．