2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[20a-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年3月20日(火) 09:15 〜 12:15 C101 (52-101)

曽根 正人(東工大)

10:15 〜 10:30

▼ [20a-C101-5] Electrical Conduction Property at Metal/Heavily Sb-doped n-Ge1−xSnx Contact

〇Jihee Jeon1、Akihiro Suzuki1,2、Kouta Takahashi1,2、Osamu Nakatsuka1,3、Shigeaki Zaima3 (1.Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ.、2.Research Fellow of JSPS、3.IMaSS, Nagoya Univ.)

キーワード：GeSn, contact resistivity, Metal/Semiconductor interface