[20a-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20a-C101-6] TiN/Ge界面のショットキーバリアに関する第一原理計算による検討Ⅱ -乱れた界面の効果-

〇西本 俊輝¹、中山 隆史¹ (1.千葉大理)

キーワード：ゲルマニウム、ショットキーバリア、窒化チタン