[20a-C102-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20a-C102-1] 六方晶窒化ホウ素上におけるVO₂薄膜の成長と評価

〇玄地 真悟¹、山本 真人¹、神吉 輝夫¹、渡邊 賢司²、谷口 尚²、田中 秀和¹ (1.阪大産研、2.物材機構)

キーワード：金属-絶縁体相転移、二酸化バナジウム、六方晶窒化ホウ素

二酸化バナジウム（VO₂）は室温近傍で巨大な抵抗率変化を伴う金属-絶縁体相転移を示す。従来は基板として格子整合性の高い酸化物結晶が用いられていたが，デバイス応用を見据え，格子整合性の影響が少ないと考えられる六方晶窒化ホウ素（hBN）上でのVO₂薄膜成長を調べた。その結果，hBN上でVO₂は成長可能であることが分かった。これはVO₂のデバイス応用だけでなく，他の層状物質での成長可能性も示唆する。