[20a-C102-1~12] 6.3 Oxide electronics

△ [20a-C102-10] Ferroelectric gate transistor operated by electric double layer

〇Ryutaro Nishino¹, Yusuke Kozuka¹, Fumitaka Kagawa^1,2, Masaki Uchida¹, Masashi Kawasaki^1,2 (1.the Univ. of Tokyo, 2.RIKEN CEMS)

Keywords:ferroelectrics, ferroelectric gate transistor, ionic liquid

イオン液体をゲート絶縁体とした電気二重層トランジスタでは、イオン液体/半導体界面に電気二重層が形成され、半導体層に多量のキャリアが蓄積される。一方、イオン液体/強誘電体界面では電気二重層が生み出す高い電界によって強誘電体の自発分極を反転できることが報告されている。本研究ではn型半導体のNbドープSrTiO₃上に強誘電体PbTi_0.8Zr_0.2O₃(PZT)を作製し、イオン液体を介してPZTの自発分極を反転させることで、Nb-SrTiO₃層の輸送特性の変調を行った。