[20a-C102-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [20a-C102-10] 電気二重層を用いた強誘電ゲートトランジスタの作製

〇西野 隆太郎¹、小塚 裕介¹、賀川 史敬^1,2、打田 正輝¹、川﨑 雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

キーワード：強誘電体、強誘電ゲートトランジスタ、イオン液体

イオン液体をゲート絶縁体とした電気二重層トランジスタでは、イオン液体/半導体界面に電気二重層が形成され、半導体層に多量のキャリアが蓄積される。一方、イオン液体/強誘電体界面では電気二重層が生み出す高い電界によって強誘電体の自発分極を反転できることが報告されている。本研究ではn型半導体のNbドープSrTiO₃上に強誘電体PbTi_0.8Zr_0.2O₃(PZT)を作製し、イオン液体を介してPZTの自発分極を反転させることで、Nb-SrTiO₃層の輸送特性の変調を行った。