[20a-C202-1~8] 17.3 Layered materials

△ [20a-C202-4] MoS_2(1-x) Te_2x Deposition by co-Sputtering and Post-Deposition Sulfurization using (t-C₄H₉)₂S₂

〇Yusuke Hibino¹, Seiya Ishihara^1,4, Yuya Oyanagi¹, Naomi Sawamoto¹, Takumi Ohashi², Kentarou Matsuura², Hideaki Machida³, Masato Ishikawa³, Hiroshi Sudoh³, Hitoshi Wakabayashi², Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.Tokyo Tech, 3.Gas-phase Growth Ltd., 4.JSPS Research Fellow)

Keywords:layered material, alloy

昨今注目を集める遷移金属ダイカルコゲナイド混晶において、より広いバンドギャップ制御および今後の全原料供給を用いた1ステップ法への適用を目的としてMoS_2(1-x)Te_2xを幅広い組成で作製するために、これまで我々がMoS₂作製において有効性を示してきた有機S原料を用いた作製に関する報告をさせていただきます。