[20a-C202-1~8] 17.3 層状物質

△ [20a-C202-4] 共スパッタ法と(t-C₄H₉)₂S₂を用いた硫化によるMoS_2(1-x) Te_2x混晶の成膜

〇日比野 祐介¹、石原 聖也^1,4、小柳 有矢¹、澤本 直美¹、大橋 匠²、松浦 賢太郎²、町田 英明³、石川 真人³、須藤 弘³、若林 整²、小椋 厚志¹ (1.明治大、2.東工大、3.気相成長株式会社、4.学振特別研究員)

キーワード：層状物質、混晶

昨今注目を集める遷移金属ダイカルコゲナイド混晶において、より広いバンドギャップ制御および今後の全原料供給を用いた1ステップ法への適用を目的としてMoS_2(1-x)Te_2xを幅広い組成で作製するために、これまで我々がMoS₂作製において有効性を示してきた有機S原料を用いた作製に関する報告をさせていただきます。