[20a-C202-1~8] 17.3 Layered materials

△ [20a-C202-5] 2D-MoS₂ Film Formation by Sputtering Method with Migration Control

〇Takumi Ohashi¹, Takuro Sakamoto¹, Kentaro Matsuura¹, Jun'ichi Shimizu¹, Mayato Toyama¹, Seiya Ishihara^2,3, Yusuke Hibino², Iriya Muneta¹, Kuniyuki Kakushima¹, Kazuo Tsutsui¹, Atsushi Ogura², Hitoshi Wakabayashi¹ (1.Tokyo Tech, 2.Meiji Univ., 3.JSPS Research Fellow)

Keywords:Molybdenum disulfide, Sputtering method, Migration energy

MoS₂膜のような層状物質成長は、下地表面状態に非常に敏感であり、スパッタ粒子が拡散障壁を超えるmigration energyを保持しなければ、基板に対して垂直に成長する場合がある。一方で、スパッタリング法を用いて、SiO₂/Si基板表面に対して水平なMoS₂膜（~10 nm）を比較的簡便に得られることが分かっている。スパッタMoS₂膜のデバイス応用に向けて、基板表面上におけるmigrationを促し、電気特性をさらに向上させるために、下地表面とスパッタ粒子の相互作用およびスパッタ条件の2観点から系統的な検討を行った。