[20a-C202-1~8] 17.3 層状物質

△ [20a-C202-5] Migration制御したスパッタリング法による2次元層状MoS₂成膜

〇大橋 匠¹、坂本 拓朗¹、松浦 賢太朗¹、清水 淳一¹、外山 真矢人¹、石原 聖也^2,3、日比野 祐介²、宗田 伊理也¹、角嶋 邦之¹、筒井 一生¹、小椋 厚志²、若林 整¹ (1.東工大、2.明治大、3.学振特別研究員)

キーワード：二硫化モリブデン、スパッタリング法、マイグレーションエネルギー

MoS₂膜のような層状物質成長は、下地表面状態に非常に敏感であり、スパッタ粒子が拡散障壁を超えるmigration energyを保持しなければ、基板に対して垂直に成長する場合がある。一方で、スパッタリング法を用いて、SiO₂/Si基板表面に対して水平なMoS₂膜（~10 nm）を比較的簡便に得られることが分かっている。スパッタMoS₂膜のデバイス応用に向けて、基板表面上におけるmigrationを促し、電気特性をさらに向上させるために、下地表面とスパッタ粒子の相互作用およびスパッタ条件の2観点から系統的な検討を行った。