[20a-C202-1~8] 17.3 Layered materials

[20a-C202-7] Crystallinity improvement of sputtered MoS₂ film by sulfur-powder annealing through insulating film.

〇Masaya Hamada¹, Kentaro Matsuura¹, Haruki Tanigawa¹, Takumi Ohashi¹, Kuniyuki Kakushima¹, Kazuo Tsutsui¹, Hitoshi Wakabayashi¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:MoS2, sputtering, annealing

これまでスパッタリング法を用いて、SiO₂/Si基板上においてMoS₂膜を形成し、硫黄雰囲気中におけるポストアニールにより、S/Mo比の改善、結晶性の向上を成功させている。
今回はスパッタMoS₂膜上に保護膜を堆積し、保護膜を通した硫黄粉末アニールによってMoS₂膜の結晶性の向上を目指した。結果は，絶縁膜を通した硫黄粉末アニールによりMoS₂膜の結晶性が向上することをRaman分光法により確認した。