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一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[20a-C204-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2018年3月20日(火) 09:00 〜 12:15 C204 (52-204)

篠原正典(佐世保高専)

11:45 〜 12:00

△ [20a-C204-11] CVD法により合成したMoS₂膜の水素プラズマ処理とS/Mo比の依存性

〇杉山雅浩¹、名渕雄太¹、荻野明久¹ (1.静大院工)

キーワード：マイクロ波励起水素プラズマ、二硫化モリブデン