11:30 AM - 11:45 AM
△ [20a-C204-10] Study on the low temperature and highly efficient deposition process of Silicon Oxide Gate Dielectric layers Using Atmospheric Pressure Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
Keywords:semiconductor, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, Gate Dielectric layers
フレキシブルデバイスに用いる薄膜トランジスタではPEN (Polyethylene Naphthalate)等のプラスチックフィルム上にゲート絶縁膜を形成する必要がある. 我々は大気圧プラズマCVD法を用いた低温かつ高速な成膜技術の開発を進めている.今回,基板温度とプラズマ中O2濃度が膜構造の特性に及ぼす影響を検討した.さらにPENフィルム上にSiOX薄膜を形成し,その特性についても調査した.