[20a-C204-1~12] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [20a-C204-9] Photoluminescence of (ZnO)_0.73(InN)_0.27 fabricated by sputter epitaxy

〇Nanoka Miyahara¹, Kazuya Iwasaki¹, Liu Shi¹, Daisuke Yamashita¹, Daisuke Nakamura¹, Hyunwoong Seo¹, Kazunori Koga¹, Masaharu Shiratani¹, Naho Itagaki¹ (1.Kyushu Univ.)

Keywords:(ZnO)x(InN)1-x, sputtering, Photoluminescence

太陽電池や発光デバイス等の材料として，バンドギャップ変調可能な半導体材料が注目されている．筆者らは，組成比制御によりバンドギャップを1.0-3.4 eVまで広範囲に可変なZnOとInNの擬2元系混晶(ZnO)_x(InN)_1-x を開発している.本講演では，c面サファイア基板上に作製した単結晶ZnOをテンプレートとすることでエピタキシャル(ZnO)_0.73(InN)_0.27膜の作製に成功し，そのフォトルミネッセンスを観察した結果を報告する．