2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[20a-C204-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2018年3月20日(火) 09:00 〜 12:15 C204 (52-204)

篠原 正典(佐世保高専)

09:15 〜 09:30

[20a-C204-2] アクティブスクリーンプラズマによる窒化とその評価

〇(P)市村 進1、高島 成剛1、流水 一平2、大久保 大地2、松尾 英明2、後藤 峰男2 (1.PLACIA、2.中日本炉工業)

キーワード:窒化、イオンミリング、アクティブスクリーンプラズマ

アクティブスクリーンプラズマ窒化は、島根県産業技術センター 朝比奈 等、関西大学 西本 等により、研究されてきた。本窒化法の優位性を高める為、我々は、アクティブスクリーンプラズマのラジカル密度を測定し、窒化を行った。また、窒化の評価項目として、化合物層厚みが重要であるが、今回、イオンミリングと電子顕微鏡による精密評価方法を確立したので、報告する。