[20a-C204-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [20a-C204-9] スパッタエピタキシーにより作製した(ZnO)_0.73(InN)_0.27のフォトルミネッセンス

〇宮原 奈乃華¹、岩崎 和也¹、石 榴¹、山下 大輔¹、中村 大輔¹、徐 鉉雄¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹、板垣 奈穂¹ (1.九大シス情)

キーワード：窒化インジウム亜鉛、スパッタリング、フォトルミネッセンス

太陽電池や発光デバイス等の材料として，バンドギャップ変調可能な半導体材料が注目されている．筆者らは，組成比制御によりバンドギャップを1.0-3.4 eVまで広範囲に可変なZnOとInNの擬2元系混晶(ZnO)_x(InN)_1-x を開発している.本講演では，c面サファイア基板上に作製した単結晶ZnOをテンプレートとすることでエピタキシャル(ZnO)_0.73(InN)_0.27膜の作製に成功し，そのフォトルミネッセンスを観察した結果を報告する．