[20a-D103-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20a-D103-10] Si面SiC上ゲート絶縁膜に対するN₂雰囲気中での高温熱処理による界面窒化プロセスとその欠陥低減効果

〇朝羽 俊介¹、伊藤 俊秀¹、深津 茂人¹、中林 幸雄¹、清水 達雄¹、飯島 良介¹ (1.東芝 研開セ)

キーワード：SiC、絶縁膜、窒化