[20a-D103-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-D103-2] シリコンキャップアニールを用いたn型4H-SiCのオーミックコンタクト特性に対する昇温レートの影響

〇東堂 大地¹、花房 宏明¹、東 清一郎¹ (1.広大院　先端研)

キーワード：SiC、オーミックコンタクト

我々はこれまでにn型SiC上にSi層を堆積させた後に加熱処理をするシリコンキャップアニール(SiCA)を行うことで、Si層を除去した後もオーミックコンタクトが得られることを報告している。本研究では、このSiCAの昇温レートがコンタクト特性に与える影響を調査した。