[20a-D103-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20a-D103-2] Effect of Ramp Rate on Ohmic Contact Property of n-type 4H-SiC Formed by Silicon-cap Annealing

〇Daichi Todo¹, Hiroaki Hanafusa¹, Seiichiro Higashi¹ (1.Hiroshima Univ.)

Keywords:SiC, Ohmic Contact

我々はこれまでにn型SiC上にSi層を堆積させた後に加熱処理をするシリコンキャップアニール(SiCA)を行うことで、Si層を除去した後もオーミックコンタクトが得られることを報告している。本研究では、このSiCAの昇温レートがコンタクト特性に与える影響を調査した。