[20a-D103-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20a-D103-3] Dependence of Electrical Properties of Multi-Epitaxial Type SiC SJ Diode on Process Parameter

〇(M2)Minoru Harada¹, Tadao Morimoto², Shinsuke Harada², Noriyuki Iwamuro¹ (1.Tsukuba Univ., 2.AIST)

Keywords:Silicon Carbide, Super Junction

Si SJ-MOSFETの作製方法であるマルチエピタキシャル法をSiCに適用した。現在主流である高温イオン注入プロセスを低温化できればプロセスの簡略化かつ短期化が見込まれる。低温イオン注入を用いたマルチエピタキシャル法によるSiC SJ-MOSFETの実現を検討するため作製プロセスの温度条件を振って作製した。作製したSiC SJ-pn ダイオードの逆方向電圧印加時の電圧-電流特性を評価した。